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测量金属屏蔽层电阻和导体电阻可以监视其受腐蚀变化情况，测量电阻比可以消除温度对直流电阻测量的影响。

5.2试验周期

交接试验

5.3试验方法

用双臂电桥测量在相同温度下的金属屏蔽层和导体的直流电阻

5.4试验判断

与投运前的测量数据相比较不应有较大的变化。当前者与后者之比与投运前相比增加时，表明屏蔽层的直流电阻增大，铜屏蔽层有可能被腐蚀；当该比值与投运前相比减少时，表明附件中的导体连接点的接触电阻有增大的可能。

6. 交叉互联系统试验

6.1交叉互联系统示意图

6.2交叉互联效果及构成

相比不交叉互联，金属护层流过的电流大大降低。

非接地端金属护层上蕞高鳡应电压为蕞长长度那一段电缆金属护层上鳡应的电压。

交叉互联必须断开金属护层，断口间与对地均需绝缘良好，一般采用互联箱进行电缆金属护层的交叉互联。

接地端金属护层通过同轴电缆引入直接接地箱接地；非接地端金属护层通过同轴电缆引入交叉互联接地箱，箱内装有护层过电压保护器限制可能出现的过电压。

保护接地箱

直接接地箱

交叉互联箱

6.3交叉互联性能检验

电缆外护套、绝缘接头外护套与绝缘夹板的直流耐压试验

试验时必须将护层过电压保护器断开，在互联箱中将另一侧的三段电缆金属套都接地，使绝缘接头的绝缘环也能结合在一起进行试验。

非线性电阻型护层过电压保护器试验

以下两项均为交接试验项目，预防性试验选做其中一个。

伏安特性或参考电压，应符合制造厂的规定。

监理要点

巡视检查电缆的固定情况符合设计要求，电缆与夹具间要有衬垫保护，个别地方支架过短应加装延长支架。

对电缆在转弯处时进行查看，应有垫铁保护。

巡视检查电缆固定在过渡支架上是否稳定，过渡支架焊接应符合设计要求。

巡视检查电缆蛇形敷设的波节波幅符合设计要求。

检查螺栓的紧固情况，卡具两边的螺栓要交叉紧固，不能过紧或过松。

电缆扰性固定图

3.4缆蛇形布置

工艺标准

电缆在电缆沟、隧道、共同沟或桥体箱梁内敷设时应采用蛇形布置，即在每个蛇形弧的顶部把电缆固定于支架上，靠近接头部位用夹具刚性固定。

电缆蛇形布置的参数选择，应保证电缆因温度变化产生的轴向应力无损电缆绝缘，不致对电缆金属套长期使用产生疲劳断裂，且宜按允许拘束力条件去认定。

水平蛇形布置时，宜在支撑蛇形弧的支架上设置滑板。

三相品字垂直蛇形布置时除在每个蛇形弧的顶部把电缆固定于支架上外，还应根据电动力核算情况加必要的绑扎带绑扎

式中：

R＇——单位长度电缆导体在θ℃温度下的直流电阻；

A——导体截面积，如导体右n根相同直径d的导线扭合而成，A=nπd2/4;

ρ20——导体在温度为20℃时的电阻率，对于标准软铜 ρ20=0.017241Ω?mm2/m：对于标准硬铝：ρ20=0.02864Ω?mm2/m；

α——导体电阻的温度系数（1/℃）；对于标准软铜：=0.00393℃-1；对于标准硬铝：=0.00403℃-1；

k1——单根导线加工过程引起金属电阻率的增加所引入的系数。一般为1.02-1.07（线径越小，系数越大）；具体可见《电线电缆手册》表3-2-2；

k2——用多根导线绞合而成的线芯，使单根导线长度增加所引入的系数。对于实心线芯，=1；对于固定敷设电缆紧压多根导线绞合线芯结构，=1.02（200mm2以下）～1.03（240mm2以上）

k3——紧压线芯因紧压过程使导线发硬、电阻率增加所引入的系数（约1.01）；

k4——因成缆绞合增长线芯长度所引入系数，对于多芯电缆及单芯分割导线结构，（约1.01）；]

k5——因考虑导线允许公差所引入系数，对于紧压结构，约1.01；对于非紧压型， k5=[d/(d-e)]2（d为导体直径，e为公差）。

20℃导体直流电阻详见下表（点击放大）：

以上摘录于《10(6)kV～500kV电缆技术标准》（Q∕GDW 371-2009 ）。

2.2 导体的交流电阻

在交流电压下，线芯电阻将由于集肤效应、邻近效应而增大，这种情况下的电阻称为有效电阻或交流电阻。

电缆线芯的有效电阻，国内一般均采用IEC-287推荐的公式 :

R=R′(1 YS YP)

R——蕞高工作温度下交流有效电阻，Ω/m；

R′——蕞高工作温度下直流电阻，Ω/m；

YS——集肤效应系数，YS=XS4/(192 0.8XS4)，

XS4=（8πf/R′×10-7kS）2；

YP——邻近效应系数，YP=XP4/(192 0.8XP4)(Dc/S)2{0.312(Dc/S)2 1.18/[XP4/(192 0.8XP4) 0.27]}，XP4=（8πf/R′×10-7kP）2。

XS4——集肤效应中频率与导体结构影响作用；

XP4——邻近效应中导体相互间产生的交变磁场影响作用；

f——频率；

Dc——线芯直径，m；

S——线芯中心轴间距离，m；

ks——线芯结构常数，分割导体ks=0.435，其他导体ks=1.0；